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IRF9Z24NS/L
700
V GS
=
0V , f = 1M H z
20
I D = -7 .2 A
C is s
=
C gs + C gd , C ds S H O R TE D
600
C rs s
=
C gd
V D S = -44 V
C o ss
=
C d s + C gd
16
V D S = -28 V
500
C iss
400
C oss
12
300
200
C rss
8
4
100
FO R TE S T CIR C U IT
0
1
10
100
A
0
0
5
10
S E E FIG U R E 1 3
15 20
25
A
100
V D S , D rain-to-S ourc e V oltage (V )
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
100
Q G , Total G ate C harge (nC )
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
O P E R A TIO N IN T H IS A R E A L IM IT E D
B Y R D S (o n)
10μ s
10
T J = 15 0°C
T J = 2 5°C
10
100μs
1
1m s
T C = 25 °C
V G S = 0V
0.1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6 1.8
A
1
1
T J = 17 5°C
S ing le P u lse
10
10m s
100
A
4
-V S D , S ourc e-to-D rain V oltage (V )
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
-V D S , D rain-to-S ourc e V oltage (V )
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
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